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J-GLOBAL ID：201702282253156534   整理番号：17A0666145

CoFeB/InAsヘテロ構造の界面磁気的および電気的性質【Powered by NICT】

Interface Magnetic and Electrical Properties of CoFeB /InAs Heterostructures

著者 (12件)： Wu Zhenyao (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Ruan Xuezhong (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Tu Hongqing (Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Yang Pei (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zhang Xiaoqian (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Liu Wenqing (Department of Electronics, York-Nanjing International Center of Spintronics, The University of York, York, U.K.) ,  Liu Bo (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zhang Junran (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  He Liang (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Du Jun (Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zhang Rong (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Xu Yongbing (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 53  号： 1  ページ： ROMBUNNO.2900104.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファス磁性CoFeB超薄膜は狭いバンドギャップ半導体InAs(100)表面上に合成した,界面磁気異方性と電気的接触の性質を研究した。角度依存ヒステリシスループは,膜がInAs[0 11]結晶方向に沿って容易軸を持つ面内一軸磁気異方性(UMA)を持つことを明らかにした。UMAは基板のアニーリング温度,Feの重要な役割を示しているに依存することが分かった,InAs(100)の表面状態に関連した界面での結合Co-As。I V測定はCoFeB膜間のオーム接触界面とInAs基板,InAs(100)の表面状態の影響を受けないを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶方位 ,  磁性 ,  *磁気 ,  一軸磁気異方性 ,  超薄膜 ,  *ヒ化インジウム ,  角度依存性 ,  *電気的性質 ,  バンドギャップ ,  非晶質 ,  *鉄 ,  *界面
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  ヒステリシスループ ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  ヘテロ構造 ,  界面 ,  磁気 ,  電気的性質