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J-GLOBAL ID：201702282526258818   整理番号：17A0325954

EuO/Si界面のバンド構造:シリコンスピントロニクスのための正当化【Powered by NICT】

Band structure of the EuO/Si interface: justification for silicon spintronics

著者 (7件)： Lev L. L. (Swiss Light Source, Paul Scherrer Institute, CH-5232 Villigen, Switzerland) ,  Averyanov D. V. ,  Tokmachev A. M. ,  Bisti F. ,  Rogalev V. A. ,  Strocov V. N. ,  Storchak V. G.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 1  ページ： 192-200  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体スピントロニクス論理,通信と貯蔵を組み合わせたハイブリッドデバイスのためのフレームワークを提供し,現在のエレクトロニクスの限界,特にエネルギー効率に関してを回避した。Si,主流半導体プラットフォームに基づくスピントロニクスの開発に世界的に投入された膨大な努力。著明なペースにもかかわらず,Siスピントロニクスはまだ技術的ボトルネック-非磁性Si中の顕著なスピン分極の生成を示した。強磁性半導体からの直接電気的スピン注入に基づく新しいアプローチ-EuOプライム選択である-金属インジェクタに固有の問題を回避する。EuO/Siスピン接触の機能性は界面バンド配列によって制御されている。電荷エレクトロニクスとの競合には,EuO/Si界面は0.5 2eVの範囲内にあるバンドオフセットを示すはずである。運動量分解能と化学的特異性を持つ埋込みEuO/Si界面の電子構造を調べるために,1keV付近の光子エネルギーのシンクロトロン放射を用いた軟X線ARPESを採用した。バンド構造はEuO/Siシステムの技術的可能性証明1.0eVの伝導バンドオフセットを明らかにした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： オフセット ,  *スピントロニクス ,  軟X線 ,  バンドオフセット ,  *界面 ,  電子技術 ,  運動量 ,  エネルギー効率 ,  伝導バンド ,  分解能 ,  強磁性半導体 ,  シンクロトロン放射 ,  電荷 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： スピン注入 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  界面 ,  バンド構造 ,  シリコン ,  スピントロニクス