Zhang Qiao について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Deng Hongmei について
Instrumental Analysis and Research Center, Institute of Materials, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, China について
Chen Leilei について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Tao Jiahua について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Yu Jiejin について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Yang Pingxiong について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Chu Junhao について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Materials Letters について
光学的性質 について
第二相 について
バンドギャップ について
Raman散乱 について
硫化 について
結晶度 について
結晶粒径 について
モルフォロジー について
薄膜 について
Ramanスペクトル について
吸収体 について
スズ について
アニーリング温度 について
ガラス基板 について
薄膜太陽電池 について
Semiconductors について
Cu_2CdSnS_4 について
ゾル-ゲル調製 について
薄膜 について
構造 について
酸化物薄膜 について
作製 について
薄膜 について
光学的特性 について
硫化 について