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J-GLOBAL ID:201702282608262863   整理番号:17A0449090

反応性スパッタ蒸着した前駆体の焼なましによるCu_2ZnSnS_4薄膜太陽電池の作製【Powered by NICT】

Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin film solar cells by annealing of reactively sputtered precursors
著者 (10件):
資料名:
巻: 701  ページ: 55-62  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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薄膜太陽電池用のCu_2ZnSnS_4(CZTS)吸収体を反応性スパッタリングとポストアニーリングによって作製した。膜の微細構造とこれに関連した素子性能に及ぼすアニーリング温度とCu/(Zn + Sn)比の影響を系統的に調べた。より高いアニーリング温度はZnの取り込みと結晶粒成長を促進するが,より多くのSnの損失と厚いMoS_2層をもたらすことが分かった。より低いCu/(Zn + Sn)比をもつCZTS吸収体は表面に大きな粒径とよりZnS粒子を示し,一方より高いCu含有量(Cu/Sn>2)を有する膜は小さい粒径,Cu_2xS相と亀裂を示した。3.72%の最高のデバイス効率は570°CでアニールしたCZTS膜から得られたCu/(Zn + Sn)比は0.78であった。デバイスの性能は,界面再結合とZnSによるキャリア輸送の遮断に起因した低JとFFによって制限される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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