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J-GLOBAL ID：201702282717838400   整理番号：17A0407055

Bi_4Ti_3O_12強誘電体膜における制御可能な光応答と光起電力性能【Powered by NICT】

A controllable photoresponse and photovoltaic performance in Bi₄Ti₃O₁₂ ferroelectric thin films

著者 (6件)： He Hongcai (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices and School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  He Zhaoling (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices and School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Jiang Zhuolin (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices and School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Wang Jing (State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures, College of Aerospace Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210016, PR China) ,  Liu Tao (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices and School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Wang Ning (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices and School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 694  ページ： 998-1003  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶Bi_4Ti_3O_12(BIT)薄膜を簡単なゾル-ゲル法によりフッ素ドープ酸化スズガラス基板上に作製した。構造,強誘電及び光学特性と同様に種々の条件でBIT膜の光起電力特性と光電流応答を調べた。非分極BIT膜はJ_Sc約0.18μA/cm~2とV_Voc約0.02Vの明らかな光起電力効果を明らかにした。膜の光応答は,正バイアスを印加することにより増加し,負のバイアスで減少した。一方,その光応答は負のポーリングによる非分極膜のそれのほぼ三倍に顕著に増加した。正分極は光電流を減少させるだけでなく,光電流方向を逆転した。光起電力性能と光応答の広い可同調性はBITは強誘電性オプトエレクトロニクス及びエネルギー分野での応用のための強誘電薄膜太陽電池の,有望な代替材料であることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイアス ,  ゾル-ゲル法 ,  強誘電性 ,  *光起電力 ,  ゲル ,  オプトエレクトロニクス ,  分極 ,  多結晶 ,  光電流 ,  太陽電池 ,  光起電力効果
準シソーラス用語： 電流応答 ,  ガラス基板 ,  FTO【酸化物】 ,  *強誘電体薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Bi_4Ti_3O_12 ,  強誘電薄膜 ,  Photoresponse ,  光起電力性能 ,  ゾル-ゲル法

分類 (4件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 強誘電体膜 ,  光応答 ,  光起電力