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J-GLOBAL ID：201702282871098419   整理番号：17A0123765

[0001]配向InNナノリーブとナノワイヤ:合成,成長機構と光学的性質【Powered by NICT】

[0001]-Oriented InN Nanoleaves and Nanowires: Synthesis, Growth Mechanism and Optical Properties

著者 (5件)： Liu Min (Southwest University of Science and Technology) ,  Liu Huiqiang (Sun Yat-Sen University) ,  Chu Sheng (Sun Yat-Sen University) ,  Peng Rufang (Southwest University of Science and Technology) ,  Chu Shijin (Southwest University of Science and Technology)
資料名： Acta Metallurgica Sinica  (Acta Metallurgica Sinica)
巻： 29  号： 9  ページ： 820-826  発行年： 2016年 
JST資料番号： C5023A  ISSN： 1006-7191  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい窒化インジウム(InN)葉状ナノシートとナノワイヤを,化学蒸着法によりSi基板上に成長させた。キャラクタリゼーションの結果は,試料が単結晶,ナノワイヤとナノリーフの成長方向は[0001]であることを示した。InNナノリーフの成長機構は,三段階成長プロセスを用いた蒸気-液体-固体プロセスのパターンに従う。添加では,二つのナノ構造の室温光ルミネセンススペクトルは0.706eV,単ナノリーフからの発光はナノワイヤよりも強いが付近にバンド間発光を示し,オプトエレクトロニクスデバイスへの応用の可能性を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 発光 ,  単結晶 ,  化学蒸着 ,  ナノ構造 ,  *光学的性質 ,  窒化インジウム ,  光ルミネセンス ,  キャラクタリゼーション ,  *ナノワイヤ ,  ナノシート
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  光ルミネセンススペクトル ,  シリコンウエハ ,  *成長メカニズム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 新しい窒化インジウム(InN) ,  化学蒸着(CVD) ,  ナノリーフ ,  結晶構造 ,  光ルミネセンス(PL)

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 配向 ,  InN ,  ナノワイヤ ,  成長 ,  光学的性質