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J-GLOBAL ID：201702282967978895   整理番号：17A0751640

溶液法による誘電体処理としてZrO_2を用いた透明酸化インジウム亜鉛薄膜トランジスタの性能【Powered by NICT】

Performances of transparent indium zinc oxide thin film transistors using ZrO₂ as dielectric processed by solution method

著者 (6件)： Zhao Jun Wei (School of Physics and Electronics, Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan University, Kaifeng 475004, P.R. China) ,  Zhang Xin An (School of Physics and Electronics, Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan University, Kaifeng 475004, P.R. China) ,  Li Shuang (School of Physics and Electronics, Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan University, Kaifeng 475004, P.R. China) ,  Zheng Hai Wu (School of Physics and Electronics, Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan University, Kaifeng 475004, P.R. China) ,  Yang Guang (School of Physics and Electronics, Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan University, Kaifeng 475004, P.R. China) ,  Zhang Wei Feng (School of Physics and Electronics, Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan University, Kaifeng 475004, P.R. China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 1  ページ： ROMBUNNO.201600315  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理したジルコニア(ZrO_2)誘電体を用いた透明酸化インジウム亜鉛(IZO)薄膜トランジスタの電気的およびUV光電性能を報告した。チャネル層を室温でマグネトロンスパッタリングにより堆積した。ZrO_2誘電体は環境条件とそれに続く低温アニーリング下での溶液プロセスにより堆積した。膜をX線回折と原子間力顕微鏡によって構造的に特性化した。電界効果移動度30.7cm~2V~ 1s~ 1の10~5の電流オン/オフ比,0.8Vのしきい値電圧,および30mV/decade~ 1のサブしきい値スイングで得られた良好なデバイス特性(1)。抵抗負荷インバータを作成した,2Vの電源電圧で約5の利得をもつ合理的な伝達特性を示した。トランジスタはUV照射に敏感であることが観察された。120μW cm~ 2の強度を有する紫外光に曝露すると,暗電流比は空乏領域における10~4以上であった。すべての上記の特徴は,IZO薄膜トランジスタを作るUV光トランジスタとして使用される有望な候補である。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *誘電体 ,  酸化ジルコニウム ,  *トランジスタ ,  *薄膜トランジスタ ,  紫外線 ,  紫外線照射 ,  チャネル
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  閾値電圧 ,  電界効果移動度 ,  溶液処理 ,  *酸化インジウム亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： dielectrics ,  電気的性質 ,  半導体 ,  薄膜

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶液 ,  誘電体 ,  酸化インジウム亜鉛 ,  薄膜トランジスタ