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J-GLOBAL ID：201702282999134521   整理番号：17A0757213

G級ヘッドホンドライバーのためのニューロンMOSFETを用いたバッファ【Powered by NICT】

Buffer with Neuron MOSFETs for class-G headphone driver

著者 (4件)： Matsuda Yuki (National Institute of Technology, Ariake College, Fukuoka, Japan) ,  Shimizu Akio (National Institute of Technology, Ariake College, Fukuoka, Japan) ,  Ishikawa Yohei (National Institute of Technology, Ariake College, Fukuoka, Japan) ,  Fukai Sumio (Saga University, Saga, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ISOCC  ページ： 115-116  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニューロンMOSFETを用いた緩衝液はG級増幅器を単純化するために提案した。高効率と高忠実度のために,一般的なG級増幅器は入力信号に依存する高/低供給電圧をスイッチする。一般G級増幅器をAB級,B級緩衝液から構成されている。G級増幅器は高効率とニューロンMOSFETを用いたB級バッファなし高忠実度であることを提案した。ニューロンMOSFETを用いた提案したG級増幅器の性能はROHM社の0.18μmCMOSデバイスパラメータを用いたSpectreにより評価した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 簡素化 ,  *ニューロン ,  *MOSFET ,  増幅器
準シソーラス用語： AB級 ,  供給電圧 ,  入力信号 ,  高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヘッドホン ,  ドライバー ,  ニューロン ,  MOSFET ,  バッファ