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J-GLOBAL ID:201702283057294934   整理番号:17A0548658

炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(5)-X線光電子分光法による注入欠陥形成の解析-

著者 (8件):
資料名:
巻: 64th  ページ: ROMBUNNO.15a-F201-5  発行年: 2017年03月01日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (3件):
分類
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半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  固体デバイス材料  ,  半導体の格子欠陥 

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