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J-GLOBAL ID：201702283197471200   整理番号：17A0260656

ZNOバリスタセラミックの電気的性質に及ぼすアルミニウムドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Al Addition on Electrical Properties of ZnO-based Varistor Ceramics

著者 (4件)： Lin Jiajun (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an Jiaotong University) ,  Li Shengtao (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an Jiaotong University) ,  He Jinqiang (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an Jiaotong University) ,  Liu Wenfeng (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an Jiaotong University)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 31  号： 9  ページ： 981-986  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZNO)バリスタセラミックの微細構造,電気的性質,および欠陥濃度に及ぼす微量アルミニウム(AL)ドーピングの影響とその機構を研究した。結果は,誘電損失ピークがZNOバリスタセラミックの欠陥濃度をある程度反映することができ,ALドーピングがZNOバリスタセラミックの欠陥濃度を著しく減少させることができることを示した。酸素空孔欠陥に対応する損失ピーク値は88.82%から1.74%に低下し,格子欠陥に対応する損失ピーク値は133.38%から8.14%に低下した。ALドーピング量の増加とともに,ZNOバリスタセラミックの平均結晶サイズは,9.15ΜMから6.24ΜMに減少し,一方,バリスタ電圧は,235V/MMから292V/MMに増加した。ALドーピングはZNOバリスタセラミック中の的欠陥の形成を抑制するが,固有欠陥濃度の低下により材料の微細構造と電気的性質が著しく変化することが分かった。本論文では,ZNOバリスタセラミックの固有欠陥に及ぼすALドーピングの影響機構を説明し,ZNOバリスタセラミックの微細構造,電気的性質,誘電特性,および誘電性欠陥の間の関係を確立した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ピーク値 ,  電圧 ,  微細構造 ,  格子欠陥 ,  誘電損失 ,  結晶 ,  *電気的性質 ,  誘電性 ,  *バリスタ ,  酸化亜鉛
準シソーラス用語： 固有欠陥 ,  酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ZnO-based varistor ceramic ,  Al dopant ,  intrinsic defect

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  バリスタ ,  セラミック ,  電気的性質 ,  アルミニウム ,  ドーピング