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J-GLOBAL ID:201702283231670689   整理番号:17A0754709

噴霧熱分解蒸着による調製したEGFET CuS薄膜のpH感受性に及ぼす基質タイプの影響【Powered by NICT】

Influences of substrate type on the pH sensitivity of CuS thin films EGFET prepared by spray pyrolysis deposition
著者 (5件):
資料名:
巻: 63  ページ: 269-278  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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硫化銅(CuS)薄膜をCu~2+およびS~IIそれぞれの源としてCuCl_22H_2OとNa_2S_2O_35H_2O前駆体を用いたスプレー熱分解により堆積した,溶媒として脱イオン水であった。三つのタイプの基板は膜堆積に使用した;ガラス,タングステンとSi。堆積した膜の構造特性のX線測定はz軸の方位(001)を持つ単相CuS銅藍相を示した。酸素の存在は,改善されたpHセンシング特性を示唆した。形態学的特徴は,CuS結晶構造の形状とサイズの相違,基質の表面対体積比および表面部位密度に影響を及ぼすを示した。堆積したままの膜は電界効果トランジスタの拡張ゲートとして使用段階2への集合における緩衝液のpH感度を測定した;最適pH感度はCuS/ガラス膜のための23.3mV/pHであった。pH応答遅延を見出すためにヒステリシスはpH7pH4pH7pH10pH7で調製した緩衝液で測定した;最小値はガラス基板のための0.48mVであった。,再現性,安定性及び(CuS)薄膜の信頼性は,測定pH感度に使ったのと同じ装置を用いた変動係数(C.V.)の観点から測定した。0.04%,0.02%と0.38%の再現性値はガラス,タングステンとSiでそれぞれ記録されたが,0.15%,0.15%と0.10%の安定性と信頼性値はガラス基板のpH4,pH7およびpH10で記録した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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