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J-GLOBAL ID：201702283360052166   整理番号：17A0513917

Ba_0.67K_0.33BiO_3+δ単結晶の電気抵抗率と磁束ピン止めエネルギーの四重対称性

Four-fold symmetry of resistivity and flux pinning energy in Ba_0.67K_0.33BiO_3+δ single crystal

著者 (7件)： WU Z F (Nanjing Univ., Nanjiing, CHN) ,  WU Z F (Nanjing Inst. of Technol., Nanjing, CHN) ,  TAO J (Nanjing Univ., Nanjiing, CHN) ,  XU X B (Nanjing Univ., Nanjiing, CHN) ,  QIU L (Nanjing Univ., Nanjiing, CHN) ,  YANG S G (Nanjing Univ., Nanjiing, CHN) ,  WANG Z H (Nanjing Univ., Nanjiing, CHN)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 30  号： 1  ページ： 015004,1-5  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ba_0.67K_0.33BiO_3+δ単結晶(T_c≒約26.4K)を融解塩電気化学法で作製した。結晶の典型的大きさは1.18×1.1×0.56mm³であった。結晶構造をX線回折により調べ,電気抵抗率を4端子法で測定した。異なる磁場中のab面電気抵抗率の角度依存性R(θ)と電気輸送を調べた。H=0.5T,T=25.5KにおけるR(θ)に四重対称性が観測された。磁場下の抵抗性転移は熱活性化磁束運動の式に従った。磁束ピン止めエネルギー(U)の磁場(H)依存性はU∝H^-αの冪乗則に従い,αはH≒2Tでクロスオーバを示した。

シソーラス用語： *高温超伝導体 ,  酸化物 ,  ビスマス化合物 ,  カリウム化合物 ,  バリウム化合物 ,  単結晶 ,  結晶成長 ,  *磁束ピン止め ,  *電気抵抗率 ,  対称性 ,  X線回折 ,  結晶構造

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  電気抵抗率 ,  磁束ピン止め ,  エネルギー ,  対称性