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J-GLOBAL ID：201702283474704684   整理番号：17A0095297

ALGAN/GAN 功率器件緩/バッファトラップの分析方法【JST・京大機械翻訳】

Analysis Methods of the Traps in the Buffer Layer in AlGaN/GaN Power Devices

著者 (7件)： Deng Xiaoshe (School of Software and Microelectronics,Peking University) ,  Liang Yanan (Semiconductor Research Institute,Chinese Academy of Sciences) ,  Jia Lifang (Semiconductor Research Institute,Chinese Academy of Sciences) ,  Fan Zhongchao (Semiconductor Research Institute,Chinese Academy of Sciences) ,  He Zhi (Semiconductor Research Institute,Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Yun (Semiconductor Research Institute,Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Dacheng (School of Software and Microelectronics,Peking University)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 9  ページ： 649-657  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ALGAN/GANヘテロ接合界面効果による高濃度と高濃度の二次元電子ガス(2DEG)のため,ALGAN/GANデバイスは電子デバイス分野において顕著な応用の利点がある。ALGAN/GANデバイスに存在する電流崩壊現象は,デバイスの実際の応用を制限する。緩衝層トラップは電流崩壊現象を引き起こす重要な原因の一つである。ALGAN/GAN 器件緩/バッファトラップの研究方法について概説し,種々の方法の利点と欠点を分析した。静電容量と電流過渡試験に基づく方法を紹介した。静電容量の過渡試験法における熱励起による容量の深い準位過渡( )、光励起による開放容量の回復と光励起の深準位スペクトル( )の方法を紹介した。電流過渡試験によりトラップの位置を区別することが難しく,この方法に基づく異なるバイアス条件下での電流過渡試験,バックゲート電流過渡法,無ゲートのソース-ドレイン試験構造解析法を要約した。静電容量と電流過渡試験法は感度が高く,緩衝層トラップの解析に適しており,電流崩壊を抑制するための理論的指針を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *電流 ,  バイアス ,  バッファ層 ,  深い準位 ,  二次元電子ガス ,  静電容量 ,  ヘテロ接合 ,  光ポンピング ,  構造解析法
準シソーラス用語： バックゲート ,  熱励起 ,  試験方法 ,  電子素子 ,  高濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlGaN/GaN ,  buffer layer ,  trap level ,  capacitance transient measurement ,  current transient measurement

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  バッファ ,  トラップ ,  分析