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J-GLOBAL ID：201702283494566395   整理番号：17A0313946

エピンドリジオン有機薄膜トランジスタに及ぼすその場研究における依存性温度と層厚【Powered by NICT】

Temperature and layer thickness dependent in situ investigations on epindolidione organic thin-film transistors

著者 (8件)： Lassnig R. (Institute of Solid State Physics, Graz University of Technology, Petersgasse 16, A-8010 Graz, Austria) ,  Striedinger B. (Materials-Institute for Surface Technologies and Photonics, Joanneum Research Forschungsgesellschaft mbH, Franz-Pichler-Strasse 30, A-8160 Weiz, Austria) ,  Jones A.O.F. (Institute of Solid State Physics, Graz University of Technology, Petersgasse 16, A-8010 Graz, Austria) ,  Scherwitzl B. (Institute of Solid State Physics, Graz University of Technology, Petersgasse 16, A-8010 Graz, Austria) ,  Fian A. (Materials-Institute for Surface Technologies and Photonics, Joanneum Research Forschungsgesellschaft mbH, Franz-Pichler-Strasse 30, A-8160 Weiz, Austria) ,  Glowacki E.D. (Linz Institute for Organic Solar Cells (LIOS), Johannes Kepler University, Altenbergerstrasse 69, A-4040 Linz, Austria) ,  Stadlober B. (Materials-Institute for Surface Technologies and Photonics, Joanneum Research Forschungsgesellschaft mbH, Franz-Pichler-Strasse 30, A-8160 Weiz, Austria) ,  Winkler A. (Institute of Solid State Physics, Graz University of Technology, Petersgasse 16, A-8010 Graz, Austria)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 218  ページ： 64-74  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のゲート誘電体上のボトムゲート,ボトム金接触エピンドリジオン有機薄膜トランジスタのための層の厚さと基板温度の関数としてその場性能評価について報告した。実験は,超高真空条件下で行い,準同時電気的および表面分析を可能にした。Auger電子分光法と熱脱離分光法(TDS)は,有機膜の基板表面と熱安定性の品質を特性化した。ex situ原子間力顕微鏡(A FM)を用いて水素結合有機顔料の層形成と表面形態に関する追加情報を得ることであった。ゲート誘電体は,未処理およびスパッタした形で,SiO_2と同様にスピンコートした有機キャッピング層ポリ(ビニルシンナメート)(PVCi)とポリ((±)endo,exo-ビシクロ[2.2.1]ヘプテ-5-エン-2,3-ジカルボン酸,diphenylester)(PNDPE,ポリノルボルネンのクラスからの)を含んでいた。TDSとA FMはVolmer-Weber島成長が下にあるぬれ層の証拠と膜形成を支配しなかった明らかにした。この成長モードは定在分子から成る単分子層の90 95%でトランジスタ挙動に必要な比較的高い被覆率の原因である。エピンドリジオン蒸着中の表面スパッタリングと増加した試料温度は吸着分子の表面拡散を増加させ,従って低い数良好な秩序化した島のをもたらした。,電荷輸送の開始はdelaidであったが,高い飽和移動度が得られた。最高,底部接触配置,約2.5×10~ 3cm~/Vsの移動度は,スパッタリング試料に高被覆率(50nm)であった。移動度の被覆率依存性を,異なるゲート誘電体に対して非常に異なる特性を示したが,被覆率によるしきい値電圧の変化は,すべての系でほぼ同じであった。低極性PNDPEに対する被覆率の増加に伴う移動度の明らかな減少は,バルク相における傾斜薄膜相における直立からの分子配向の変化に起因した。温度依存移動度測定から,110MeVと160MeV間の電荷輸送のための活性化障壁,誘電構成に依存して計算した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *層厚 ,  熱安定性 ,  単分子層 ,  水素結合 ,  スパッタリング ,  移動度 ,  温度依存性 ,  キャラクタリゼーション ,  被覆率 ,  基板温度 ,  表面拡散 ,  原子間力顕微鏡 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  *有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機薄膜トランジスタ ,  ボトムコンタクト ,  Epindolidione ,  水素結合 ,  電荷キャリア移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機薄膜トランジスタ ,  研究 ,  依存性 ,  層厚