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J-GLOBAL ID:201702283546604771   整理番号:17A0314705

「内部固体炭素源」によるグラフェン単層の成長:電子構造,形態とAuのインターカレーション【Powered by NICT】

Growth of graphene monolayer by “internal solid-state carbon source”: Electronic structure, morphology and Au intercalation
著者 (6件):
資料名:
巻: 104  ページ: 284-291  発行年: 2016年08月15日 
JST資料番号: A0495B  ISSN: 0264-1275  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Ni/HOPG界面からNi膜を通した炭素原子の低温偏析による「内部固体炭素源」法を用いたHOPG上に堆積したNi(111)膜上のグラフェン単分子層の合成を,内殻準位と価電子帯光電子分光法により研究した。原子構造と形態を走査型トンネル顕微鏡(STM)により研究した。グラフェンの合成は表面炭化物分解の結果として表面炭化物相(化学量論Ni_2C)から変態の段階を介して起こることを確立した。はこのような変換は,グラフェン合成の必要な段階であることを考察した。「固体炭素源」の方法が実際にNi膜の頂部上のグラフェン単分子層形成をもたらすことを示した。グラフェン単分子層は180°Cでのアニーリングでも形成され始める良く秩序化した構造を持つ実質的に完全なグラフェン被覆の形成は260 270°Cの温度でも起こった。形成されたグラフェンはNi基板に強く結合している。STM像はグラフェン単分子層のための良く秩序化した原子六方表面構造特性の形成を示した。Au原子のインターカレーションは,p(9×9)超構造の形成をもたらし,強い結合をブロックする。表面の主要部分はNi上のエピタキシャルグラフェンで覆われていることを証明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 

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