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J-GLOBAL ID：201702283805759373   整理番号：17A0366090

新規マイクロ波吸収材料としてのAlドープTi_3SiC_2の誘電特性【Powered by NICT】

Dielectric properties of Al-doped Ti₃SiC₂ as a novel microwave absorbing material

著者 (6件)： Li Zhimin (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Yang Zi (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Maolin (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Yan Yangxi (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Huang Yunxia (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Hao Yue (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 1 PA  ページ： 222-227  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlドープTi_3SiC_2粉末をTi/Si/TiC粉末から真空雰囲気下で固相反応により合成し,最適Alドーピング含有量であった。結果はTi_3SiC_2主要相はAlドーピングにより1250°Cという低い温度で発生できること,およびドープした粉末は良好な分散性を有する比較的狭い粒度分布を持つことを示した。Ti_3Si_1 xAl_xC_2固溶体の形成は,XPSによって証明された。調製したAlドープTi_3SiC_2試料のマイクロ波誘電パラメータ及び反射損失は8.2 12~12.4GHzの周波数範囲で測定した。1350°Cで合成した試料は誘電率εの虚数部分と誘電損失tanδ,4.39 7.32と0.57 0.78で高い値を示したことが分かった。試料の厚さ2.6mmのマイクロ波吸収皮膜では,8.2 12~12.4GHzの全周波数範囲で得られたほぼ 12dB以下の反射損失。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 虚数 ,  *アルミニウム ,  *マイクロ波 ,  *誘電性 ,  誘電損失 ,  分散度 ,  周波数 ,  粉体 ,  損失正接 ,  粒度分布 ,  誘電率 ,  固相反応 ,  固溶体 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： *マイクロ波吸収 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ti_3SiC_2 ,  Alドーピング ,  誘電特性 ,  マイクロ波吸収材料

分類 (3件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロ波吸収 ,  Al ,  ドープ ,  誘電特性