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J-GLOBAL ID：201702283817296869   整理番号：17A0664665

Cytop中間層を有する安定な両極性有機-無機ヘテロ接合電界効果トランジスタとインバータ【Powered by NICT】

Stable ambipolar organic-inorganic heterojunction field-effect transistors and inverters with Cytop interlayer

著者 (7件)： Sun Sheng (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices (South China University of Technology), Wushan Road 381#, Tianhe District, Guangzhou, China. [e-mail]) ,  Lan Linfeng ,  Li Yuzhi ,  Ning Honglong ,  Yao Rihui ,  Wang Lei ,  Peng Junbiao
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 10  ページ： 5966-5969  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,有機-無機二層構造に基づいた両極性電界効果トランジスタ(FET)を調べた。InO_xとペンタセンはn型およびp型半導体としてそれぞれ選択した。正孔移動度を改善するために,ポリ(perfluorobutenylvinylether)(Cytop)層はInO_xの表面を改質するために導入した。両極性FETは正孔と電子の移動度1.1と0.1cm~2V~ 1s~ 1であったのとゲートバイアス応力下で優れた電気的安定性を示した。さらには両極性FETは機能的相補型金属酸化物半導体(CMOS)インバータのようなに統合することができ,高いピーク利得(>50)を示すことを見出した。本研究では,有機-無機ハイブリッド構造に基づくアンビポーラFETを実現するための一般的な方法を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 利得 ,  複合構造 ,  正孔 ,  *ヘテロ接合 ,  金属酸化物 ,  移動度 ,  *FET【トランジスタ】 ,  CMOS ,  半導体 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  正孔移動度 ,  二重層 ,  *両極性 ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 中間層 ,  両極性 ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  インバータ