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J-GLOBAL ID：201702283911636803   整理番号：17A0665819

第一原理研究に基づくグラフェンのBiVO_4viaハイブリダイゼーションの可視光光触媒活性の増強の機構【Powered by NICT】

Mechanism of enhancing visible-light photocatalytic activity of BiVO₄via hybridization of graphene based on a first-principles study

著者 (5件)： Chen Yuxuan (School of Science, Hubei University of Technology, Wuhan 430068, China. [e-mail]) ,  Ma Xinguo ,  Li Di ,  Wang Huihu ,  Huang Chuyun
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 8  ページ： 4395-4401  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッドグラフェン/BiVO_4(001)ヘテロ接合の界面特性はvan der Waals相互作用を正確に記述するため半経験的分散補正スキームを組み込んだ第一原理計算によって研究した。結果はグラフェンとBiVO_4が接触していると安定なヘテロ接合を形成することを示した。グラフェン/BiVO_4界面の平衡後に,それらのエネルギー準位を計算した仕事関数に基づいてFermi準位のシフトを調整した。さらに,BiVO_4の上部価電子帯の中の電子は照射下での伝導帯へ励起されると,グラフェンのC p_z軌道に到達する,電子がBiVO_4に移動できない,グラフェン中に捕獲された。BiVO_4(001)表面に蓄積し,光生成したe~-/h~+対の分離を容易にする実質的なホール。計算電荷密度差は,電荷再分布はBiVO_4(001)表面へのグラフェンからの層間電荷移動を駆動することを明らかにした。は,二成分間のハイブリダイゼーションは,可視光領域におけるBiVO_4の光吸収の増加を誘導することを同定した。この系における界面相互作用と電荷移動の微視的機構の深い理解は,BiVO_4ベースヘテロ接合光触媒を作製するための助けとなるであろう。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *可視光 ,  伝導バンド ,  van der Waals力 ,  *第一原理 ,  仕事関数 ,  *グラフェン ,  電荷移動 ,  Fermi準位 ,  ヘテロ接合 ,  *光触媒 ,  計算 ,  界面 ,  *分子ハイブリダイゼーション ,  価電子バンド
準シソーラス用語： 第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  塩  (CD01050V) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 第一原理 ,  研究 ,  グラフェン ,  ハイブリダイゼーション ,  可視光 ,  光触媒活性 ,  増強