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J-GLOBAL ID：201702283937604307   整理番号：17A0399729

エピタキシャルに埋め込まれたナノ粒子の3次元格子整合【Powered by NICT】

Three-dimensional lattice matching of epitaxially embedded nanoparticles

著者 (4件)： May Brelon J. (Department of Materials Science and Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, USA) ,  Anderson Peter M. (Department of Materials Science and Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, USA) ,  Myers Roberto C. (Department of Materials Science and Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, USA) ,  Myers Roberto C. (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 459  ページ： 209-214  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 与えられた次数二次元(2D)エピタキシャル層の間の面内格子不整合と基板(ε IP *)を対象に,それ以上では界面欠陥は,弾性歪エネルギーを緩和するために生成する臨界厚さである。,それを超えると,εIP*と面外格子不整合(ε OP *)の両方で特徴付けられ,このエピタキシャル包まれたナノ粒子は転位の形成による緩和臨界サイズを予測するために,三次元から2次元格子整合条件を拡張した。での欠陥形成が進行する臨界粒子長さ(L)は,欠陥エネルギーの増加に対応して転位導入に伴う弾性エネルギーの減少のバランスをとることによって決定した。埋め込み,任意のファセット化したナノ粒子のための修正Eshelby介在物法を用いた著者らの結果は,低次元構造,特に量子ドットとナノ析出物のナノエピタクシーへの新しい洞察を提供した。工学εIP*とεOP*により,ナノ粒子のpredi_ted L_は均一マトリックス中にカプセル化された場合よりはるかに増加させることができる。切頭ピラミッド形状InAsの場合,GaAs(ε IP *=ε OP *= 0.072)中に完全に埋込んだときL_~10.8nm;粒子はGaAs上に成長させたが,InSb(εIP*= 0.072とεOP*=+0.065)でキャップされたとき,16.4nmεOP*=+0.037に対応する合金でキャップした場合最大18.4nm,。効果は,「3D Poisson安定化」と呼ぶはOP*を調整することによって,エピタキシャルヘテロ構造におけるエピタキシャル歪耐性を増加させる手段を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノ粒子 ,  *三次元 ,  ヒ化インジウム ,  量子ドット ,  *格子整合 ,  ヒ化ガリウム ,  ファセット ,  格子不整合 ,  *エピタクシー ,  二次元 ,  アンチモン化インジウム ,  介在物
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  弾性エネルギー ,  弾性歪 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： A1低次元構造 ,  A3エピタクシー ,  A1欠陥

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  ナノ粒子 ,  3次元 ,  格子整合