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J-GLOBAL ID：201702284240585727   整理番号：17A0057831

65nmバルクと薄膜BOX FDSOIプロセスにおけるプラズマ誘起損傷と負バイアス温度不安定性の間の相関【Powered by NICT】

Correlations between plasma induced damage and negative bias temperature instability in 65 nm bulk and thin-BOX FDSOI processes

著者 (2件)： Kishida Ryo (Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology) ,  Kobayashi Kazutoshi (Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： S3S  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リング発振器(ROs)の周波数を測定することによりプラズマ誘起損傷(PID)と負バイアス温度不安定性(NBTI)を評価した。500~1Kのアンテナ比(AR)からPIDによる初期周波数分解したバルクと薄膜BOX FDSOIで2.1%と1.9%であった。NBTIはAR500以下のアンテナルールの上限であるPIDにより加速される。NBTIはPIDと相関し,初期周波数にも関連している。NBTI誘起劣化と初期頻度間の相関係数(CC)はFDSOIで0.68であり,ランダムドーパントゆらぎが支配的であるので,バルク(CC=0.24)における相関数であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アンテナ ,  相関係数 ,  リング発振器 ,  ゆらぎ ,  *薄膜 ,  周波数 ,  *プラズマ
準シソーラス用語： *NBTI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (10件)： バルク ,  薄膜 ,  BOX ,  FDSOI ,  プロセス ,  プラズマ ,  誘起 ,  損傷 ,  負バイアス温度不安定性 ,  相関