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J-GLOBAL ID：201702284427477062   整理番号：17A0090523

TiO₂が終端の(100)SrTiO₃基板上における立方晶系CdS薄膜の成長

Growth of cubic CdS films on TiO₂-terminated (100) SrTiO₃ substrate

著者 (5件)： Huang L. (Center for Photo Voltage Engineering, School of Physics, Nanjing University, 210093, Nanjing, China) ,  Wei Z.L. (Center for Photo Voltage Engineering, School of Physics, Nanjing University, 210093, Nanjing, China) ,  Ma L.G. (Center for Photo Voltage Engineering, School of Physics, Nanjing University, 210093, Nanjing, China) ,  Zhang F.M. (Center for Photo Voltage Engineering, School of Physics, Nanjing University, 210093, Nanjing, China) ,  Wu X.S. (Center for Photo Voltage Engineering, School of Physics, Nanjing University, 210093, Nanjing, China)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 183  ページ： 334-338  発行年： 2016年11月01日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化カドミウム(CdS)膜は,半導体デバイスの分野で広く使用されている。しかしながら,ほとんどのCdS膜は,六方晶系の多結晶構造で結晶化した。本稿では,立方晶系CdS膜を,超高真空蒸着システムを用いて,TiO₂-終端(001)SrTiO₃基板上に,初めて成功裏に成長させた。XRDパターンおよび反射高速電子回折(RHEED)パターンは,基板温度を上昇させることにより,六方晶系から立方晶系への膜の構造変態を示した。本論文では,CdS膜の立方晶系が六方晶系よりも安定していることを示した。二種類の構造間の表面局在状態が異なることおよび膜中のV_s²⁺欠陥が大幅に減少することに起因した光音響挙動が存在した。ペロブスカイト様のSrTiO₃上の立方晶系CdSのヘテロ構造は,CdSの新しい応用を可能にすると考えられた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  *半導体薄膜 ,  ストロンチウム化合物 ,  チタン酸塩 ,  基板 ,  *薄膜成長 ,  超高真空 ,  真空蒸着 ,  X線回折 ,  RHEED ,  六方晶系 ,  立方晶系 ,  相転移 ,  温度依存性 ,  格子欠陥 ,  *光音響効果
準シソーラス用語： 構造変態 ,  反射高速電子回折

著者キーワード (3件)： CdS films ,  Ultra high vacuum evaporation ,  Photo-acoustic behavior

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： TiO2 ,  終端 ,  立方晶系 ,  CdS ,  薄膜 ,  成長