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J-GLOBAL ID：201702284453234613   整理番号：17A0325099

表面有機金属中間体を経由するSiO_2上の超薄MoS_2膜への新しい2段階A LD法【Powered by NICT】

A novel 2-step ALD route to ultra-thin MoS₂ films on SiO₂ through a surface organometallic intermediate

著者 (11件)： Cadot Stephane (Univ. Grenoble Alpes, FR-38000 Grenoble, CEA, LETI, Minatec Campus, FR-38054 Grenoble Cedex 9, France. [e-mail]) ,  Renault Olivier ,  Fregnaux Mathieu ,  Rouchon Denis ,  Nolot Emmanuel ,  Szeto Kai ,  Thieuleux Chloe ,  Veyre Laurent ,  Okuno Hanako ,  Martin Francois ,  Quadrelli Elsje Alessandra
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 2  ページ： 538-546  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エレクトロニクスエネルギー貯蔵~応用で同定した新しい材料,2D MoS_2結晶の成長のためのスケーラブルな方法の欠如は,その大規模な採用に対する現在のボトルネックである。ここでは,50°Cで非晶質表面Mo(IV)チオラートのlayer-by-layer蒸着,高温1 2単分子層領域における超薄MoS_2ナノ結晶(~20nm大)に続いて焼なましをすることから成る新しい有機金属前駆体Mo(NMe_2)4と1,2 エタンジチオール(HS(CH_2)2SH)で二段階A LD経路を報告した。2D二カルコゲン化物の通常の高温成長とは対照的に,核形成が厚さと均一性を制御する鍵となるパラメータであるが,著者らの新規な二段階A LDアプローチは,これらの二パラメータに対する化学的防除,空間閉込めによって確保とバッファオキシ硫化物中間層の形成により促進されていアニーリングによる2D MoS_2結晶の成長を可能にした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非晶質 ,  ナノ結晶 ,  電子技術 ,  核形成 ,  蒸着 ,  焼なまし ,  エネルギー貯蔵 ,  高温 ,  前駆体 ,  結晶 ,  単分子層 ,  *中間体 ,  カルコゲン化物
準シソーラス用語： 中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機金属 ,  中間体 ,  段階 ,  LD