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J-GLOBAL ID：201702284679218491   整理番号：17A0754704

CuAl合金障壁層システムによる二酸化けい素と予防における銅の拡散の物理的,化学的および電気的特性評価【Powered by NICT】

Physical, chemical and electrical characterisation of the diffusion of copper in silicon dioxide and prevention via a CuAl alloy barrier layer system

著者 (10件)： Byrne C. (School of Physical Sciences, Dublin City University, Dublin 9, Ireland) ,  Brennan B. (National Physical Laboratory, Hampton Road, Teddington TW11 0LW, United Kingdom) ,  Lundy R. (Stokes Laboratories, University of Limerick, Co. Limerick, Ireland) ,  Bogan J. (School of Physical Sciences, Dublin City University, Dublin 9, Ireland) ,  Brady A. (School of Physical Sciences, Dublin City University, Dublin 9, Ireland) ,  Gomeniuk Y.Y. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland) ,  Gomeniuk Y.Y. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 41, pr. Nauki, Kyiv, Ukraine) ,  Monaghan S. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland) ,  Hurley P.K. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland) ,  Hughes G. (School of Physical Sciences, Dublin City University, Dublin 9, Ireland)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 63  ページ： 227-236  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱成長SiO_2上に吸着したCu及びCuAl合金(90%:10% wt)膜を,500°Cの温度で全ての真空,N_2流と大気雰囲気中での熱応力試験を用いて研究した,基礎となるSiO_2誘電体への金属層の劣化とCuの拡散を防止する時にCu膜中へのAlの導入の有効性を試験厳密にた。金属-酸化物-半導体(MOS)デバイス,ゲート金属としてのCu及びCuAl合金を用いての静電容量電圧試験はCuAl合金デバイスの安定性とは対照的に金属/SiO_2界面におけるCuの拡散によるCu参照セットの破壊を示し,大気雰囲気中500°Cアニール後であった。Cu参照MOS構造のフラットバンド電圧は,外部印加電圧バイアスの応用,基礎となるSiO_2層へのCu~+イオンの拡散と移動度と一致して変化した。表面金属層の光学的および走査電子顕微鏡は実験アニール段階を通して純Cu膜の分解と剥離を示し,CuAl合金の安定性と対照的であった。X線光電子分光法により,薄膜を不動態化するために作用する熱アニール後CuAl合金の表面でのAl酸化物の成長を示し,純Cu標準試料のセットで同定されたCu酸化物形成を防止した。透過型電子顕微鏡分析は,アニール後のCu/_2界面におけるCuの相互拡散を示し,連続した障壁層界面の成長を示すCuAl合金と対照的であった。飛行時間二次イオン質量分光法(ToF SIMS)は,3次元再構成による全金属/SiO_2/Siスタックのプロファイルに用い,Cu対照試料内のCuの内方拡散とCuAl合金試料の金属層内のCuの閉じ込めを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  *電気的性質 ,  薄膜 ,  界面 ,  半導体 ,  *二酸化ケイ素 ,  透過型電子顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  焼なまし ,  *銅 ,  X線光電子分光法 ,  MOS構造 ,  *アルミニウム ,  酸化アルミニウム
準シソーラス用語： *バリア層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (11件)： 自己形成障壁 ,  銅 ,  アルミニウム ,  XPS ,  ToF-SIMS ,  容量 ,  MOS ,  TEM ,  拡散 ,  相互接続 ,  イオン移動度

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 障壁層 ,  二酸化けい素 ,  予防 ,  銅 ,  拡散 ,  物理 ,  化学 ,  電気的特性 ,  評価