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J-GLOBAL ID：201702284712299143   整理番号：17A0166336

GANの成長に及ぼす成長パラメータの影響を垂直垂直MOCVDにおいて研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of growth parameters on GaN in a vertical MOCVD reactor

著者 (3件)： Feng Lansheng (School of Mechano-electronic Engineering, Xidian Univ.) ,  Guo Runqiu (School of Mechano-electronic Engineering, Xidian Univ.) ,  Zhang Jincheng (School of Microelectronics, Xidian Univ.)
資料名： Xi’an Dianzi Keji Daxue Xuebao  (Xi'an Dianzi Keji Daxue Xuebao)
巻： 43  号： 5  ページ： 178-182  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0859A  ISSN： 1001-2400  CODEN： XDKXEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GAN材料の成長過程をより良く研究するために、著者らは垂直金属の有機金属化学気相堆積システムによるGAN材料の成長過程における反応物の伝達と反応過程についてシミュレーションを行った。シミュレーション結果は,反応器の圧力と反応器の流れ速度がGANの成長速度と厚さ均一性に影響することを示した。反応ガスの反応室への反応速度の上昇に伴い、反応室内の予反応が増強され、GANの成長速度が上昇し、同時にGANの厚さの不均一性も上昇した。同じ吸気速度で,反応器の圧力は減少し,一定の範囲でGANの成長速度を増加させるが,同時に中央の領域の厚さを増加させ,厚さの不均一性を増加させる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 反応器 ,  *MOCVD ,  反応速度 ,  流速 ,  成長段階 ,  成長速度 ,  気相 ,  不均一性 ,  シミュレーション ,  吸気
準シソーラス用語： 屋内 ,  反応ガス ,  反応過程 ,  反応物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN ,  MOCVD ,  GaN growth rate ,  reaction kinetics

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  成長 ,  成長パラメータ ,  垂直 ,  MOCVD ,  研究