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J-GLOBAL ID：201702285030244750   整理番号：17A0758088

V溝SiC電力MOSFETの回路シミュレーションモデル【Powered by NICT】

A circuit simulation model for V-groove SiC power MOSFET

著者 (5件)： Shintani Michihiro (Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Oishi Kazuki (Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Zhou Rui (Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Hiromoto Masayuki (Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Sato Takashi (Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： WiPDA  ページ： 286-290  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,埋込みp型層とV溝SiCパワーMOSFETのための新しい回路シミュレーションモデルを提案した。MOSFETの構造を考慮することにより,オン抵抗のバイアス依存性と端子キャパシタンスにおけるキンクは,提案したモデルで表現されている。V溝SiC MOSFETを用いた実験により,提案したモデルがI-V及びC-V両特性を成功裡に再現することを実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *回路シミュレーション ,  静電容量 ,  *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  キンク ,  オン抵抗
準シソーラス用語： SiC-MOSFET ,  バイアス依存性 ,  *パワーMOSFET ,  *V溝 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： V溝 ,  SiC ,  電力MOSFET ,  回路シミュレーション ,  モデル