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J-GLOBAL ID：201702285211326935   整理番号：17A0518638

エピタキシャル正孔ドープNd_1-xSr_xNiO₃超薄膜における局在で駆動された金属-絶縁体転移

Localization-driven metal-insulator transition in epitaxial hole-doped Nd_1-xSr_xNiO₃ ultrathin films

著者 (10件)： WANG Le (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  CHANG Lei (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  YIN Xinmao (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  YIN Xinmao (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  RUSYDI Andrivo (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  YOU Lu (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  ZHOU Yang (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  FANG Liang (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  FANG Liang (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  WANG Junling (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 29  号： 2  ページ： 025002,1-6  発行年： 2017年01月18日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *金属-絶縁体転移 ,  ネオジム化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  *ニッケル酸塩 ,  金属酸化物 ,  エピタクシー ,  ドーピング ,  *超薄膜 ,  膜厚 ,  *Anderson局在 ,  温度依存性 ,  磁気抵抗効果 ,  電気抵抗 ,  パルスレーザ蒸着 ,  ペロブスカイト型結晶
準シソーラス用語： *弱い局在 ,  PLD【蒸着】

分類 (1件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  正孔 ,  ドープ ,  超薄膜 ,  金属-絶縁体転移