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J-GLOBAL ID：201702285328033549   整理番号：17A0409161

ナノスケール抵抗ランダムアクセスメモリデバイスのための組換アズリンCdSe/ZnSハイブリッド構造【Powered by NICT】

Recombinant azurin-CdSe/ZnS hybrid structures for nanoscale resistive random access memory device

著者 (7件)： Yagati Ajay Kumar (Department of Biomedical Engineering, Sogang University, Seoul, 04107, Republic of Korea) ,  Yagati Ajay Kumar (Department of Biomedical Engineering, Gachon University, Incheon, 21936, Republic of Korea) ,  Kim Sang-Uk (Department of Biomedical Engineering, Sogang University, Seoul, 04107, Republic of Korea) ,  Lee Taek (Institute of Integrated Biotechnology, Sogang University, Seoul, 06974, Republic of Korea) ,  Min Junhong (School of Integrative Engineering, Chung-Ang University, Seoul, 06974, Republic of Korea) ,  Choi Jeong-Woo (Department of Biomedical Engineering, Sogang University, Seoul, 04107, Republic of Korea) ,  Choi Jeong-Woo (Department of Chemical & Biomolecular Engineering, Sogang University, Seoul, 04107, Republic of Korea)
資料名： Biosensors & Bioelectronics  (Biosensors & Bioelectronics)
巻： 90  ページ： 23-30  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0173C  ISSN： 0956-5663  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)素子として働く組換えアズリンとCdSe-ZnS量子ドットから成るバイオハイブリッド材料を開発した。部位特異的アミノ酸配列は,CdSe-ZnSナノ粒子抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)デバイスを開発すること可能にしたハイブリッドと電圧駆動スイッチングの形成を可能にする表面と結合するアズリンに導入した。分析測定はアズリンとCdSe-ZnSナノ粒子は良く結合し,形成された単一ハイブリッドにしたことを確認した。さらに,可逆的双安定スイッチングとともにナノスケールで個々のazurin/CdSe ZnSハイブリッドへの再現可能な書込み読み消去過程は,ハイブリッドデバイスで達成された。素子はON/OFF比をもつ50サイクルで試験プログラムと三桁の大きさであることを測定した。良好な安定性と再現性を示し,低電圧で動作する開発したデバイスは,将来のメモリデバイスへの応用のための有望な候補となる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *硫化亜鉛 ,  アミノ酸配列 ,  双安定性 ,  *複合構造 ,  *記憶装置 ,  ナノ粒子 ,  *アズリン ,  量子ドット ,  *RAM【メモリ】 ,  *セレン化カドミウム ,  再現性
準シソーラス用語： 低電圧 ,  ハイブリッド材料 ,  *ReRAM ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バイオハイブリッド ,  組換え技術 ,  ランダムアクセスメモリ ,  電気双安定性 ,  バイオエレクトロニクス素子

分類 (2件)： 生化学的分析法  (EA03030G) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノスケール ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  組換 ,  アズリン ,  CdSe ,  ZnS ,  ハイブリッド構造