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J-GLOBAL ID：201702285461302925   整理番号：17A0214240

浮体トランジスタにおける自己加熱の抑制への基質とレイアウト技術【Powered by NICT】

Substrate and layout engineering to suppress self-heating in floating body transistors

著者 (6件)： Shin S. H. (Department of ECE, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Kim S. -H. (Korea Institute of Science and Technology (KIST), Hwarang-ro 14-gil 5, Seoul, 02792, Korea) ,  Kim S. (Korea Institute of Science and Technology (KIST), Hwarang-ro 14-gil 5, Seoul, 02792, Korea) ,  Wu H. (Department of ECE, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Ye P. D. (Department of ECE, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Alam M. A. (Department of ECE, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 15.7.1-15.7.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己加熱(SH)は,浮体トランジスタ(FB FET)の重要な性能,変動性,および信頼性問題,すなわち,極端に薄いシリコン・オン・インシュレータ(ETSOI),SOI FinFET,ゲート全周性のNW FET(GAA FETs)などとして出現した。浮体トポロジーは静電的制御を提供するが,熱流出を制限する:明らかに固有のトレードオフ。本論文では,広範囲のトランジスタのにおける熱流の軌跡を追跡トレードオフは基本的ではなく,自己加熱は,熱のあい路を緩和する新しいデバイス設計により抑制できることを示した。この目標に向かって,著者らは,(i)サブミクロンサーモリフレクタンスイメージングによる異なるチャネル材料(Si, Ge, InGaAs)で種々のFB FETにおけるSHを特性化(ii)種々のトランジスタ技術にわたる普遍的特徴と通常の熱ボトルネックを同定し,(iii)ボトルネックを容易にし,自己加熱を低減するために新しい技術を意識したデバイス設計を提供し,(iv)自己発熱抑制におけるこれらの戦略の有効性を実験的に実証した。熱を意識したトランジスタ設計はトランジスタの性能と静電制御を損なうことなく自己加熱を抑制できると結論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  信頼性 ,  熱流 ,  *トランジスタ ,  キャラクタリゼーション ,  軌跡 ,  位相幾何学 ,  基質 ,  トレードオフ ,  *浮体
準シソーラス用語： デバイス設計 ,  FinFET ,  *自己加熱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 浮体 ,  トランジスタ ,  自己加熱 ,  基質 ,  レイアウト