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J-GLOBAL ID：201702285472087399   整理番号：17A0453195

PbS量子ドット太陽電池に及ぼす合成後アニーリングの影響【Powered by NICT】

Influence of post-synthesis annealing on PbS quantum dot solar cells

著者 (12件)： Wang Haowei (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Yang Shengyi (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Yang Shengyi (The State Key Laboratory of Transducer Technology, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Wang Yishan (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Xu Junfeng (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Huang Yueli (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Li Weile (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  He Bo (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Muhammad Sulaman (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Jiang Yurong (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Tang Yi (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Zou Bingsuo (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 42  ページ： 309-315  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コロイド量子ドット(CQD)は,その低コスト,容易な処理とサイズに依存したバンドギャップの調整可能性故にオプトエレクトロニクス応用のための魅力的な材料である。溶液処理した有機,無機およびハイブリッド配位子交換技術を広くQD太陽電池(QDSC)に適用した電力変換効率(PCE)を改善した。これまで,しかし,PbS QDSCsの電気的特性に及ぼすポストアニーリング処理の影響を今までに報告されていない。拡散長の影響を低減するために,本研究では,比較的薄い活性層を持つ典型的なヘテロ接合太陽電池ITO/ZnO/PbS/Auのデバイス性能に及ぼす熱アニーリング処理の効果を示した。合成後過程中のアニーリング温度を変えることにより,140°Cでのアニーリング後に3.26%からそのPCE増加を認めた4.52%に,短絡電流密度(J_SC)の劇的な増強が開回路電圧(OC)のわずかな減少により38.6%の向上を示し,また,性能向上のための下の機構を詳細に検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  拡散距離 ,  オプトエレクトロニクス ,  *硫化鉛 ,  *量子ドット ,  活性層 ,  酸化亜鉛 ,  *焼なまし ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  短絡電流密度 ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  電力変換効率 ,  溶液処理 ,  *量子ドット太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： コロイド量子ドット(CQD) ,  電力変換効率(PCE) ,  硫化鉛(PbS) ,  合成後アニーリング処理 ,  量子ドットに基づく太陽電池(QDSC(準)

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： PbS ,  量子ドット太陽電池 ,  アニーリング