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J-GLOBAL ID：201702285526248120   整理番号：17A0759455

高パワーと高局波エレクトロニクスのための窒化物半導体とグラフェン統合【Powered by NICT】

Graphene integration with nitride semiconductors for high power and high frequency electronics

著者 (11件)： Giannazzo F. (CNR-IMM, Strada VIII, 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Fisichella G. (CNR-IMM, Strada VIII, 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Greco G. (CNR-IMM, Strada VIII, 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  La Magna A. (CNR-IMM, Strada VIII, 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Roccaforte F. (CNR-IMM, Strada VIII, 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Pecz B. (Institute for Technical Physics and Materials Science Research, Centre for Energy Research, HAS, Budapest, Hungary) ,  Yakimova R. (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, Linkoping, Sweden) ,  Dagher R. (CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Dagher R. (Universite de Nice Sophia-Antipolis, 28 Av. Valrose, 06103 Nice, France) ,  Michon A. (CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Cordier Y. (CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, 06560 Valbonne, France)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600460  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN,AlN,InNおよびそれらの合金を含むIII族窒化物半導体(III N)が現在ではオプトエレクトロニクス(発光ダイオード,レーザダイオード),高出力と高周波数トランジスタにおける多くの応用のための選択材料。その魅力的な電気的,光学的,機械的,および熱的性質のために,III-N技術を有するグラフェン(Gr)統合は過去数年で考えられている,GaN系デバイスの性能を制限する主要な問題のいくつかを解決するためであった。今日まで,大部分の研究は,GaN-LEDの上部電極と光抽出からの電流広がりを改善するための透明導電性電極(TCE)としてGrの使用に焦点を当てた。本論文では,高出力と高周波エレクトロニクスのためのIII-NとGr統合の利点を評価する最近の研究をレビューした。材料側から,Grテンプレート上への高品質GaN層の成長とIII-N基板とテンプレート上にGrの蒸着における最近の進歩を提示した。アプリケーション側から,高出力AlGaN/GaNトランジスタにおける熱管理のためのGrを使用する戦略を考察した。最後に,III-NとGr積分による,Grベースホットエレクトロントランジスタ(GBHET)のような,新しい超高周波(THz)トランジスタを実現する最近の提案を強調した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電極 ,  オプトエレクトロニクス ,  応用プログラム ,  HF【周波数】 ,  窒化ガリウム ,  SHF【周波数】 ,  電流 ,  発光ダイオード ,  トランジスタ ,  窒化アルミニウム ,  半導体レーザ ,  熱特性 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 高出力 ,  *窒化物半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： グラフェン ,  III族窒化物半導体 ,  パワーエレクトロニクス

分類 (4件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  発光素子  (NC03082G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： パワー ,  高 ,  波 ,  エレクトロニクス ,  窒化物半導体 ,  グラフェン ,  統合