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J-GLOBAL ID：201702285630157478   整理番号：17A0363794

ガンマ線照射におけるフリーラジカルスカベンジャーとしてのMWCNTを用いたグラフェンベース構造の伝導率と電磁干渉遮蔽【Powered by NICT】

Conductivity and electromagnetic interference shielding of graphene-based architectures using MWCNTs as free radical scavenger in gamma-irradiation

著者 (10件)： Wang Haibo (State Key Laboratory of Separation Membranes and Membrane Processes, School of Textiles, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China) ,  Teng Kunyue (State Key Laboratory of Separation Membranes and Membrane Processes, School of Textiles, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China) ,  Chen Cheng (State Key Laboratory of Separation Membranes and Membrane Processes, School of Textiles, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China) ,  Li Xiaojie (State Key Laboratory of Separation Membranes and Membrane Processes, School of Textiles, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China) ,  Xu Zhiwei (State Key Laboratory of Separation Membranes and Membrane Processes, School of Textiles, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China) ,  Chen Lei (State Key Laboratory of Separation Membranes and Membrane Processes, School of Textiles, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China) ,  Fu Hongjun (State Key Laboratory of Separation Membranes and Membrane Processes, School of Textiles, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China) ,  Kuang Liyun (State Key Laboratory of Separation Membranes and Membrane Processes, School of Textiles, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China) ,  Ma Meijun (State Key Laboratory of Separation Membranes and Membrane Processes, School of Textiles, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China) ,  Zhao Lihuan (State Key Laboratory of Separation Membranes and Membrane Processes, School of Textiles, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 186  ページ： 78-81  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,γ線照射による大規模・低コストの三次元graphene/polyacrylamide/multi層カーボンナノチューブ(3dgpw)構造の合成のための環境に優しい方法を報告した。多層カーボンナノチューブを用いて,フリーラジカルを減少させ,照射プロセス中にグラフェンに欠陥を回避した。アーキテクチャにおける導電性ネットワークの二種類は,グラフェンシートと多層カーボンナノチューブにより作成した。フリーラジカルスカベンジャーの助けと二種類の導電性ネットワーク構造を用いて,3dgpw,三次元グラフェン/ポリアクリルアミドアーキテクチャのための達成されたものより20倍高い達成された3344.5の顕著な伝導率。添加では,電磁干渉遮蔽の平均値は9.8~24.6dB増加した。設計された3dgpwアーキテクチャは,電磁干渉遮蔽材料への応用のための有望な候補として考えることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ネットワーク ,  *電磁干渉 ,  *グラフェン ,  ネットワーク構造 ,  計算機アーキテクチャ ,  *多層カーボンナノチューブ ,  三次元 ,  導電性 ,  *ラジカル ,  *γ線照射
準シソーラス用語： *伝導率 ,  *遊離基スカベンジャー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 3Dグラフェンアーキテクチャ ,  カーボンナノチューブ ,  Conductivity ,  電磁干渉遮蔽 ,  炭素材料

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： ガンマ線照射 ,  フリーラジカルスカベンジャー ,  MWCNT ,  グラフェン ,  伝導率 ,  電磁干渉 ,  遮蔽