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J-GLOBAL ID:201702286125640525   整理番号:17A0363764

化学噴霧熱分解合成したSnS薄膜に適した成長パラメータ誘導型伝導率変換【Powered by NICT】

Suited growth parameters inducing type of conductivity conversions on chemical spray pyrolysis synthesized SnS thin films
著者 (8件):
資料名:
巻: 121  ページ: 347-359  発行年: 2016年 
JST資料番号: B0809A  ISSN: 0165-2370  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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すずモノスルフィド(SnS)は薄膜太陽電池技術の吸収層として有望なCdを含まない候補である。本研究では,SnS薄膜を350°C,370°Cおよび390°Cの基板温度で塩化すずとチオ尿素の0.2M等モル前駆体溶液と0.5と1.0kgf/cm~2圧力を用いた化学スプレー熱分解(CSP)法により合成した。合成した膜のキャラクタリゼーションは,X線回折,Raman分光法,走査電子顕微鏡および原子間力顕微鏡,透過,反射および吸収測定,および電気特性評価法により行った。膜は斜方晶相,p型伝導率,1.3 1~0.7eVの直接光学エネルギーバンドギャップと高い吸収係数(≧10~4/cm)を示した。本研究では,キャリアガス圧力のその場変化はSnS膜上のn型電気伝導率,追加ドーピング材料を必要とせずに,SnSホモ接合のその場連続作製を可能にするであろうを誘導することを見出した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
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酸化物薄膜  ,  半導体薄膜  ,  その他の無機化合物の薄膜 
物質索引 (1件):
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