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J-GLOBAL ID:201702286449596926   整理番号:17A0048516

28nm CMOSの高速・高周波ICにおけるESD保護についての協調設計の体系的研究

A Systematic Study of ESD Protection Co-Design With High-Speed and High-Frequency ICs in 28 nm CMOS
著者 (13件):
資料名:
巻: 63  号: 10  ページ: 1746-1757  発行年: 2016年 
JST資料番号: C0226B  ISSN: 1549-8328  CODEN: ITCSCH  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本稿では,28nm CMOSにおける高周波および高速ICの静電放電(ESD)保護回路の共同設計および解析技術の体系的な研究について説明する。包括的なESD-ICの共同設計フローには,最大15GHzと40Gbpsで動作するICのESDデバイスの最適化と特性評価,ESD動作モデリング,バックエンド相互接続のキャラクタライゼーション,寄生ESDパラメータ抽出,ESD故障解析,ESD共同設計評価が含まれる。リングオシレータ,ダミーI/Oバッファ,および電流モードロジック(CML)回路を使用して,共同設計方法を実証した。この実用的なESD-ICの共同設計技術は,高性能,高周波および高速ICに適用できる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (1件):
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半導体集積回路 

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