文献
J-GLOBAL ID:201702286619486688   整理番号:17A0662172

高電流ターンオフ条件下でのカスコードGaNデバイスの多様な振動の回避【Powered by NICT】

Avoiding Divergent Oscillation of a Cascode GaN Device Under High-Current Turn-Off Condition
著者 (5件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 593-601  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0211B  ISSN: 0885-8993  CODEN: ITPEE8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
カスコード構造は高電圧ノーマリオンGaNデバイスに広く用いられている。しかし,高電圧GaNデバイスと低電圧ノ マリオフシリコンMOSFET間の静電容量不整合はいくつかの望ましくない特徴を誘発する可能性がある,Si MOSFETはターンオフ中のなだれに達し,高電圧GaNデバイスは各スイッチングサイクルにおけるソフトスイッチングターンオン過程中の内部零電圧スイッチングターンオン条件を失う。カスコードGaNデバイスにおける静電容量不整合に関係した他の問題を提示した。発散振動は高電流ターンオフ条件で起こる可能性があり,最終的に,装置を破壊する。この現象の本質的な理由は,本論文で詳細に解析した。簡単な溶液は,その位置が重要であり,最適化されるべきである付加容量を追加することにより提案した。実験結果により理論的解析を検証し,提案した方法は高電流オフ条件の下でのデバイス性能を著しく改善することを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る