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J-GLOBAL ID：201702286664324839   整理番号：17A0162121

ウルツ鉱型GA(MN,MN)Nの電子構造と磁気光学的性質に及ぼす空孔欠陥とMGの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effects of vacancy defect and Mg substitution on electronic structure, magnetic and optical properties of wurtzite structure (Ga, Mn)N

著者 (8件)： Xu Daqing (School of Electrical and Control Engineering, Xi‘an University of Science and Technology) ,  Li Peixian (School of Advance Materials and Nanotechnology, Xidian University) ,  Lou Yongle (Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University) ,  Yue Gaili (School of Electrical and Control Engineering, Xi‘an University of Science and Technology) ,  Zhang Chao (School of Electrical and Control Engineering, Xi‘an University of Science and Technology) ,  Zhang Yan (School of Electrical and Control Engineering, Xi‘an University of Science and Technology) ,  Liu Ningzhuang (School of Electrical and Control Engineering, Xi‘an University of Science and Technology) ,  Yang Bo (School of Electrical and Control Engineering, Xi‘an University of Science and Technology)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 65  号： 19  ページ： 197501-1-197501-12  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： スピン密度汎関数理論の枠組みにおける一般化勾配近似(GGA+U)平面波擬ポテンシャル法を用いて、未ドープウルツ鉱GANGAN、三種類の異なる秩序性MNMN/GAN、(MN,MG)を構築した。共ドープGANと空孔欠陥のあるMNドープGANスーパセルモデルを用いて、それぞれのモデルのエネルギーバンド構造、状態密度、エネルギー及び光学的性質について計算した。計算結果は以下を示す。純粋なGANと比較して,MNドープGAN系の体積はわずかに増加し,ドーピング系のCURIE温度は室温以上に達することができた。二重ドーピングMN-MN間隔の増加とともに,系の全エネルギーと生成エネルギーは増加し,安定性は低下し,ドーピングは困難になった。(MN,MG)共ドーピングは,ドーピング系の磁気モーメントを効果的に増加させず,ドーピング系のCURIE温度を上げることができなかった。GA空孔欠陥とN空孔欠陥の存在はMNドーピングGANの安定な強磁性秩序を形成するのに不利である。また、MNイオンの混入はFERMI準位付近にスピン分極不純物バンドを導入し、FERMI準位付近のスピン分極不純物帯における異なる電子態間の遷移によるものである。誘電関数の虚数部は0.6868EV付近で、光吸収スペクトルは1.25EV付近にそれぞれ強いピークが現れた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 状態密度 ,  平面波 ,  磁気モーメント ,  *ドーピング ,  誘電関数 ,  擬ポテンシャル法 ,  規則度 ,  スピン分極 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 強磁性秩序 ,  共ドーピング ,  形成エネルギー ,  GGA+U ,  一般化勾配近似 ,  *ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： gallium nitride ,  first-principles ,  electronic structure ,  magnetic and optical properties

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (9件)： ウルツ鉱 ,  Ga ,  Mn ,  電子構造 ,  磁気 ,  光学的性質 ,  空孔欠陥 ,  Mg ,  研究