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J-GLOBAL ID：201702286757731044   整理番号：17A0047715

I-VおよびC-V感度マップを用いたDRAMコンデンサの欠陥分布の抽出

Extraction of the Defect Distributions in DRAM Capacitor Using $I$ - $V$ and $C$ - $V$ Sensitivity Maps

著者 (4件)： Sereni Gabriele (Universita` di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, Italy) ,  Larcher Luca (Universita` di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, Italy) ,  Kaczer Ben (imec, Leuven, Belgium) ,  Popovici Mihaela Ioana (imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 10  ページ： 1280-1283  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らは,J-VとC-V特性に基づいて金属電極サンドイッチ誘電体内の欠陥密度分布を決定できる新規な分光技術を提案した。この技術は,J-VおよびC-V曲線に影響する欠陥のエネルギー空間座標に対応する“感度領域”を決定することに依存する。DRAMコンデンサ用途のRuO_x/SrTiO_x/RuO_x金属-絶縁体-金属構造で,この技術を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 欠陥密度 ,  *スペクトロスコピー ,  技術 ,  DRAM ,  コンデンサ ,  誘電体 ,  金属 ,  絶縁体 ,  欠陥 ,  *薄膜コンデンサ ,  誘電率 ,  *層
準シソーラス用語： 分光技術 ,  *分光 ,  *MIMコンデンサ ,  *電荷輸送 ,  *絶縁層

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 感度 ,  マップ ,  DRAM ,  コンデンサ ,  欠陥 ,  分布