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J-GLOBAL ID：201702287150705201   整理番号：17A0085722

毛管力と磁場ベースのピックアンドプレース技術を利用する極薄型デバイスの集積

Integration of Ultrathin Device Utilizing Capillary Force and a Magnetic-Field-Based Pick-and-Place Method

著者 (4件)： Xiao Jing (College of Electrical and Information Engineering, Hunan University, Changsha, China) ,  Chaudhuri Ritesh Ray (Department of Electrical Engineering, The City College of New York, New York, NY, USA) ,  Liu Xiaolong (College of Electrical and Information Engineering, Hunan University, Changsha, China) ,  Seo Sang-Woo (Department of Electrical Engineering, The City College of New York, New York, NY, USA)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 25  号： 6  ページ： 1005-1014  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,流体自己組立(FSA)と磁場ベースのピックアンドプレース技術を用いて,シリコンベースのホスト基板上に極薄型III-V半導体デバイスの異種集積化を示す。デバイスメタライゼーション工程で薄いニッケル層を使用すると,適切に磁化されたニードルチップによって超薄型デバイスがピックアップされる。これはまた,ホスト基板のそれらの結合部位へのデバイスの輸送および粗いアライメントを提供する。FSAの毛細管力のために,デバイスは針先端から解放され,薄膜デバイスの結合部位への正確な自己アラインメントが可能となる。提案された集積化方法を用いて,薄膜低温成長GaAs反転金属-半導体-金属(MSM)光検出器(PD)をSiO2/Si基板上に首尾よく集積化した。集積されたPDの暗電流および光電流を測定して,薄膜デバイスとそのホスト基板との間の電気的接触を確認した。高度な自動化/ロボット化戦略の助けを借りて,提案された統合方法は,さらに多材料/機能ハイブリッドマイクロシステムに必要な効率的な統合および互換性を提供するよう開発することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 毛管力 ,  磁場効果 ,  *超薄膜 ,  *化合物半導体 ,  *ウエハ【IC】 ,  フルイディクス ,  *自己整合 ,  *流体素子 ,  *メタライゼーション ,  ニッケル ,  結晶成長 ,  ヒ化ガリウム ,  *MSM構造 ,  *光検出器 ,  二酸化ケイ素 ,  暗電流 ,  光電流 ,  *MEMS ,  *集積光学 ,  単分子層 ,  混成集積回路
準シソーラス用語： III-V半導体 ,  *ケイ素基板 ,  低温成長 ,  SAM【単分子層】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 毛管力 ,  磁場 ,  極 ,  薄型 ,  集積