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J-GLOBAL ID：201702287170447784   整理番号：17A0124027

SiO_2トップクラッドをもつ超広帯域製作耐性のシリコン偏光回転子スプリッタの設計【Powered by NICT】

Design of an ultra-broadband and fabrication-tolerant silicon polarization rotator splitter with SiO_2 top cladding

著者 (10件)： Chen Xin (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology) ,  Qiu Chao (Nantong Opto-Electronics Engineering Center Chinese Academy of Science) ,  Sheng Zhen (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology) ,  Wu Aimin (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology) ,  Huang Haiyang (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology) ,  Zhao Yingxuan (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology) ,  Wei Li (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology) ,  Wang Xi (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology) ,  Zou Shichang (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology) ,  Gan Fuwan (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology)
資料名： Zhongguo Guangxue Kuaibao(Yingwenban)  (Zhongguo Guangxue Kuaibao(Yingwenban))
巻： 14  号： 8  ページ： 081301-1-081301-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2637A  ISSN： 1671-7694  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超広帯域製作耐性のシリコン偏光回転子スプリッタを提案した。2レベルテーパと対テーパ結合器の広帯域低損失特性の利点を利用して,設計されたデバイスは,波長1290~1610nmにおける0.2と 15dB以下のシミュレーションによる挿入損失とクロストークを有していた。これらの特性は,大きな帯域幅を必要とする応用に有用な,完全格子粗波長分割多重(CWDM)と送受分波器/トリプレクサFTTHシステムである。設計の製作許容差も解析し,素子性能はシリコンフォトニクス鋳造工場における正常製造誤差と非常に安定であることを示している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： WDM【信号】 ,  公差 ,  挿入損 ,  *スプリッタ ,  *広帯域 ,  アンテナ共用装置 ,  結合器 ,  波長 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： シリコンフォトニクス ,  トリプレクサー ,  CWDM ,  テーパ ,  *偏光回転 ,  *超広帯域 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (9件)： トップ ,  クラッド ,  広帯域 ,  製作 ,  耐性 ,  シリコン ,  偏光回転子 ,  スプリッタ ,  設計