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J-GLOBAL ID：201702287523551313   整理番号：17A0203798

緑色発光ダイオード上のInGaN/GaN量子井戸におけるトリメチルインジウム処理による多重中断の影響【Powered by NICT】

Effects of multiple interruptions with trimethylindium-treatment in the InGaN/GaN quantum well on green light emitting diodes

著者 (10件)： Qiao Liang (Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Ma Ziguang (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Chen Hong (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Wu Haiyan (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Chen Xuefang (Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Yang Haojun (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Bin (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  He Miao (Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Zheng Shuwen (Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Li Shuti (Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 10  ページ： 107803-1-107803-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,緑色発光ダイオード(LED)上に成長させたInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)におけるトリメチルインジウム(TMIn)処理を持つ複数の中断の影響を調べた。この方法で作製したものと従来のLEDの比較は,後者がより良い光学特性を持つことを示した。光ルミネセンス(PL)半値全幅(FWHM)全幅は減少し,光出力パワーははるかに高く,エレクトロルミネセンス(EL)主波長の青方偏移は電流増加と共に小さくなった。これらの改善は,TMIn処理中断によるMQWの界面粗さの減少と量子井戸内でのインジウム分布のより均一性に起因すると考えられる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  光ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  波長 ,  *多重化 ,  *インジウム ,  FWHM ,  *量子井戸 ,  青方偏移 ,  多重量子井戸
準シソーラス用語： 界面粗さ ,  光出力 ,  *InGaN ,  *緑色LED , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： TMIn治療 ,  InGaN/GaN量子井戸 ,  緑色LED

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

物質索引 (1件)： トリメチルインジウム

タイトルに関連する用語 (7件)： 緑色発光ダイオード ,  InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  トリメチルインジウム ,  多重 ,  中断