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J-GLOBAL ID：201702287677623624   整理番号：17A0448776

X線光電子分光法により決定した原子層蒸着したTiO_2/多層MoS_2界面のバンドアラインメント【Powered by NICT】

Band alignment of atomic layer deposited TiO₂/multilayer MoS₂ interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy

著者 (8件)： Liu Xinke (College of Materials Science and Engineering, Nanshan District Key Lab for Biopolymer and Safety Evaluation, Shenzhen University, 3688 Nanhai Ave, Shenzhen, 518060, People’s Republic of China) ,  Chen Le (College of Materials Science and Engineering, Nanshan District Key Lab for Biopolymer and Safety Evaluation, Shenzhen University, 3688 Nanhai Ave, Shenzhen, 518060, People’s Republic of China) ,  Liu Qiang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, 865 Chang Ning Road, Shanghai, 200050, People’s Republic of China) ,  He Jiazhu (College of Materials Science and Engineering, Nanshan District Key Lab for Biopolymer and Safety Evaluation, Shenzhen University, 3688 Nanhai Ave, Shenzhen, 518060, People’s Republic of China) ,  Li Kuilong (College of Materials Science and Engineering, Nanshan District Key Lab for Biopolymer and Safety Evaluation, Shenzhen University, 3688 Nanhai Ave, Shenzhen, 518060, People’s Republic of China) ,  Yu Wenjie (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, 865 Chang Ning Road, Shanghai, 200050, People’s Republic of China) ,  Ao Jin-Ping (College of Materials Science and Engineering, Nanshan District Key Lab for Biopolymer and Safety Evaluation, Shenzhen University, 3688 Nanhai Ave, Shenzhen, 518060, People’s Republic of China) ,  Ang Kah-Wee (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 3, 117583, Singapore)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 698  ページ： 141-146  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分解能X線光電子分光法(XPS)はTiO_2/多層(ML)-MoS_2間のエネルギーバンド整列を特性化した。TiO_2膜とML MoS_2膜を原子層堆積(A LD)と化学蒸着(CVD)により成長させたした。TiO_2/ML MoS_2の間のバンド配列に及ぼすCHF_3プラズマ処理の効果を評価した。TiO_2/ML MoS_2界面の価電子帯オフセット(VBO)と伝導バンドオフセット(CBO)はCHF_3プラズマ処理の試料で2.28eVから2.51eVまで,0.28eVから0.51eVに変化したことが分かった。CHF_3プラズマ処理により,Moの3d内殻準位結合エネルギーの下方シフトはMoS_2側のエネルギーポテンシャルの曲げで生じ,制御の間の0.23eVΔE_C差とCHF_3プラズマ処理試料,F要素の豊富な界面層に起因することをもたらした。TiO_2/ML MoS_2界面でのバンド整列の物理詳細はMoS_2ベース電子素子設計のための指針を提供するであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  プラズマ処理 ,  *X線光電子分光法 ,  価電子バンド ,  *モリブデン ,  キャラクタリゼーション ,  オフセット ,  高分解能 ,  内殻準位 ,  *界面 ,  伝導バンド ,  *アラインメント
準シソーラス用語： 素子設計 ,  界面層 ,  *バンドアライメント , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 多層MoS_2 ,  TiO_2 ,  バンドアラインメント ,  X線光電子分光法

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (5件)： X線光電子分光法 ,  原子層蒸着 ,  多層 ,  界面 ,  バンドアラインメント