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J-GLOBAL ID:201702287844043621   整理番号:17A0443043

反応性マグネトロンスパッタリングにより作製したタングステン亜窒化薄膜の熱安定性【Powered by NICT】

Thermal stability of tungsten sub-nitride thin film prepared by reactive magnetron sputtering
著者 (8件):
資料名:
巻: 485  ページ: 1-7  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0148A  ISSN: 0022-3115  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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反応性マグネトロンスパッタリングによるシリコン試料上に堆積したタングステン亜窒化薄膜は,熱処理中の相安定性と微細構造進化を研究するためのモデルシステムとして使用した。XRD,SEM&FIB,XPS,RBS及びTDSを真空中で1473Kまで加熱後窒化タングステン膜の安定性を調べるために適用した。与えられた実験パラメータで2:1のタングステンと窒素化学量論と920nmの厚さの結晶膜が達成された。結果は973Kまで真空中でW_2N膜のアニーリングによって生じた相と微細構造変化を示した。1073Kまで加熱すると,W_2N相の部分分解と表面でのW濃縮層が形成された。同じ温度でアニーリング時間を増加させると,W_2N相のさらなる分解は無視できた。温度が1473Kまで達するとW_2N膜の完全な分解が起こったCopyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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核融合装置 

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