文献

J-GLOBAL ID：201702288405478250   整理番号：17A0407225

反応性スパッタリングした炭化ジルコニウム薄膜の特性に及ぼす基板温度の影響に関する研究【Powered by NICT】

Investigations on the effect of substrate temperature on the properties of reactively sputtered zirconium carbide thin films

著者 (4件)： Kumar S. Sathish (Department of Instrumentation and Applied Physics, IISc, Bangalore, 560012, India) ,  Sharma Amit (Department of Materials Engineering, IISc, Bangalore, 560012, India) ,  Rao G. Mohan (Department of Instrumentation and Applied Physics, IISc, Bangalore, 560012, India) ,  Suwas Satyam (Department of Materials Engineering, IISc, Bangalore, 560012, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695  ページ： 1020-1028  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性スパッタした炭化ジルコニウム薄膜を(100)シリコン基板上に成長させ,膜の特性に及ぼす基板温度の影響を調べた。基板温度が室温から500°Cまで変化させ,スパッタガスと反応性ガス(アルゴンとメタン)の分圧は結晶膜を得るために最適化した。構造特性は,膜がより低い成長温度(T_S<300°C)で典型的に非晶質炭素中に埋め込まれたZrCナノ結晶から成るナノ複合材料構造を示し,高い成長温度で膜は高度に配向していることを示した。添加では,325°Cで堆積した膜は膜の機械的性質にかなりの影響を持つFWHMにおいて明瞭な増加を示した。24.8GPaの最大硬度は325°Cで見られた。XPSによる化学結合の解析は325°Cの成長温度で.~2結合と比較して.~3の割合の増加を示唆した。原子結合構造,基板温度に関してそれらの相対比率の変化を検討した。325°Cで膜の粗さの増加とそれによる柱状特徴の自由に柱状微結晶からの遷移をそれぞれSEMとA FMを用いて研究した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 微結晶 ,  FWHM ,  最適化 ,  ナノ結晶 ,  *反応性 ,  硬度 ,  構造特性 ,  ナノ複合材料 ,  分圧 ,  *基板温度 ,  *反応性スパッタリング
準シソーラス用語： アモルファスカーボン ,  成長温度 ,  シリコンウエハ ,  *炭化ジルコニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 炭化ジルコニウム(ZrC) ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板温度 ,  Microstructure ,  Morphology ,  化学結合 ,  粒径 ,  ナノインデンテーション

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反応性スパッタリング ,  炭化ジルコニウム ,  薄膜 ,  基板温度 ,  研究