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J-GLOBAL ID：201702288534142734   整理番号：17A0662454

グラフェンを超えて層状二次元材料を用いた調整可能なテラヘルツメタマテリアル【Powered by NICT】

Tunable Terahertz Metamaterials Employing Layered 2-D Materials Beyond Graphene

著者 (7件)： Arezoomandan Sara (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Gopalan Prashanth (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Tian Kun (Department of Materials Science and Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Chanana Ashish (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Nahata Ajay (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Tiwari Ashutosh (Department of Materials Science and Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Sensale-Rodriguez Berardi (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 1  ページ： ROMBUNNO.8500307.1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,グラフェンを超えたグラフェン/「金属ハイブリッド調整可能なテラヘルツメタマテリアル他の二次元(2 D)材料への最近の研究を拡張した。初めて,非黒鉛二次元材料の使用,二硫化モリブデン(MoS_2)は,テラヘルツメタマテリアルデバイスに対する活性媒質として報告されている。この目的のために,層の制御された数をもつ高品質数原子層MoS_2膜をパルスレーザ蒸着法によりホスト基板上に堆積した。これらの膜におけるテラヘルツ伝導率スイングは光励起下で研究した。かなりの伝導率変調は,単層MoS_2試料で観察されるが,~0.6mSに0,実質的な電導性のスイングは~60原子層を有する試料で見られた。,グラフェン,はるかに小さいキャリア移動度の結果であるよりもはるかに小さい最大テラヘルツ伝導率を示すが,MoS_2は多層膜を用いたによるテラヘルツ応用に用いることができる。この点を考慮して,大きな変調深さ(すなわち,>2×裸MoS_2膜による固有変調深さ以上)と低挿入損失(すなわち,< 3dB)を同時に示す光学駆動テラヘルツメタマテリアルを設計し実証した。バンドギャップ,MoS_2のような二次元材料を使用することの利点ではなく,ギャップレス材料,グラフェンなどは1)減少挿入損失,零最小伝導率を達成する可能性に起因する,2)与えられた最大伝導度レベル,金属性の周波数選択性表面に非常に近い近接の活物質を配置し,このようにして近接場増強を最大限に利用することの可能性に起因するための増強された変調深さ。これらの結果は,テラヘルツ応用のためのグラフェンを超えた層状2D材料の有望性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *グラフェン ,  バンドギャップ ,  光ポンピング ,  多層膜 ,  *二次元 ,  単一層 ,  *テラヘルツ波 ,  グラファイト ,  導電性 ,  挿入損
準シソーラス用語： 変調指数 ,  伝導率 ,  二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光変調器  (BD06020W) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  層状 ,  二次元材料