地域超電流特性を利用した数値モデリングによって決定したバルクMgB_2の電磁挙動【Powered by NICT】

Ozturk K.; Ozturk K.; Dancer C.E.J.

文献

J-GLOBAL ID：201702288651389195 整理番号：17A0406904

地域超電流特性を利用した数値モデリングによって決定したバルクMgB_2の電磁挙動【Powered by NICT】

Electromagnetic behaviour of bulk MgB₂ determined by numerical modelling using regional supercurrent properties

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巻： 693 ページ： 1109-1115 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

文献での以前の研究は,バルクMgB_2における臨界電流密度は,試料内で測定した位置に依存することを実験的に,トラップされた磁場は試料直径の大きな値以上で飽和することを示した。この挙動をより良く理解するために,著者らはH定式化を用いた数値モデル化を用いたバルクMgB_2中にトラップされた磁場と局所臨界電流分布の詳細な研究を行った。半径非依存性(すなわち均一)と半径依存臨界電流バルクMgB_2試料の特性をモデル化し,文献から得られた実験的に決定されたパラメータに基づいていた。半径独立した試料は元の試料の中心または端部領域からに最初に導かれた特性であった。著者らの研究では,中心領域特性を有するサンプルの最大トラップ磁場値は周辺領域特性を持つ試料と半径依存パラメータより22.4%と9.20%高かったことを決定した。さらに,トラップ磁場は試料直径の増加につれて飽和する理由を理解するために,一定のバルク臨界電流密度を用いるよりもむしろトラップ磁場を入力データとして半径依存臨界電流密度J_c(B,r)を用いてモデル化した。ピークトラップ磁場値は中心領域のそれぞれ8.6%及び6.2%増加しバルク直径は25mmから35mmに増加すると半径に依存せず,半径依存性バルクMgB_2試料。ピーク捕捉磁場の飽和にこの傾向はバルク直径の増加のみトラップされた磁場の値に有意な影響を与えないことを示し,バルク超伝導電流密度はMgB_2バルク全体に均一に改善されない。これらの結果は,傾斜ドーピングのような製作法を用いて均一な高臨界電流密度分布を有する試料を産生することによってバルクMgB_2中にトラップされた磁場を高める実験的にできるかを理解することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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金属系超伝導体の物性

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