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J-GLOBAL ID：201702288996414479   整理番号：17A0323192

フェムト秒レーザ照射により作製したSi/Se二層膜を用いたシリコンのSeドーピング【Powered by NICT】

Se doping of silicon with Si/Se bilayer films prepared by femtosecond-laser irradiation

著者 (9件)： Du Lingyan (School of Optoelectronic Information, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Du Lingyan (School of Automation and Electronic Information, Sichuan University of Science & Engineering, Zigong, Sichuan 643000, PR China) ,  Wu Zhiming (School of Optoelectronic Information, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Su Yuanjie (School of Optoelectronic Information, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Li Rui (School of Optoelectronic Information, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Tang Fei (School of Optoelectronic Information, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Li Shibin (School of Optoelectronic Information, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Zhang Ting (School of Optoelectronic Information, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Jiang Yadong (School of Optoelectronic Information, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 54  ページ： 51-56  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SeドープしたシリコンはSi/Se二層膜の存在下でフェムト秒レーザ照射により作製した。赤外吸収とキャリア密度の増加はフェムト秒レーザ照射前後のSe膜上にSi薄膜をスパッタリングすることによって達成した。表面形態,Seをドープしたシリコンの光学的および電子的性質に及ぼすレーザ微細構造化条件(走査速度とレーザフルエンス)の効果も研究した。走査速度の減少に伴って,吸収率は0.4~2.2μmの波長で増加したが,キャリア密度と移動度は反対の傾向に従った。4.5kJ/m~2のフルエンスで作製した試料の光吸収とシートキャリア密度は他のフルエンスで調製した試料のそれよりも大きかった。この実験方法は,光電デバイス中のSeを用いたシリコンのハイパードーピングの応用を促進する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  移動度 ,  フルエンス ,  *レーザ ,  *ケイ素 ,  吸収係数 ,  キャリア密度 ,  光吸収 ,  *セレン ,  波長 ,  *フェムト秒レーザ
準シソーラス用語： レーザフルエンス ,  走査速度 ,  表面形態 ,  *二重層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリコン ,  フェムト秒レーザパルス ,  Seドーピング ,  光学的性質 ,  電気的性質

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： フェムト秒レーザ ,  作製 ,  Si ,  Se ,  二層膜 ,  シリコン ,  ドーピング