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J-GLOBAL ID：201702289174725778   整理番号：17A0704531

Ptナノ粒子の吸着を持つGaNナノワイヤ電界エミッタ【Powered by NICT】

GaN nanowire field emitters with the adsorption of Pt nanoparticles

著者 (8件)： Cui Zhen (School of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, Republic of China. [e-mail] [e-mail]) ,  Ke Xizheng ,  Li Enling ,  Zhao Taifei ,  Qi Qingping ,  Yan Jie ,  Ding Yingchun ,  Liu Tong
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 36  ページ： 22441-22446  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CVD法によりPt NP被覆したGaN NWとそれらの電界放出素子の作製を報告した。Pt NPは,GaN NWの上部と表面に付着した。Pt NP被覆により,ターンオン電界は3.3Vμm~ 1~2.7Vμm~ 1から減少し,仕事関数は4.1eVから3.22eVに減少することが分かった。さらに,DFT計算の結果は,より高い局所電子状態,Fermi準位付近に現れる,主にN2p,Pt6s,Pt5d軌道混成から形成され,与えられた動作電圧での伝導帯へのより多くの電子を提供するであろうことを示した。,GaN NWの電界放出性能は吸着されたPtによって促進できる。さらに,Pt NP被覆したGaN NWは電子放出デバイス,電界放出ディスプレイおよび真空ナノ電子デバイスにとって有望である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子状態 ,  伝導バンド ,  Fermi準位 ,  化学蒸着 ,  *白金 ,  仕事関数 ,  *窒化ガリウム ,  配位混合 ,  被覆 ,  密度汎関数法 ,  *ナノワイヤ ,  電界放出
準シソーラス用語： ターンオン電界 ,  *電界エミッタ ,  *白金ナノ粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  貴金属触媒  (CB06122I) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ptナノ粒子 ,  吸着 ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  電界エミッタ