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J-GLOBAL ID：201702289574056985   整理番号：17A0665920

Pd緩衝[Co/Ni]-5および[Ni/Co]5多層膜における磁気減衰と垂直磁気異方性【Powered by NICT】

Magnetic damping and perpendicular magnetic anisotropy in Pd-buffered [Co/Ni]₅ and [Ni/Co]₅ multilayers

著者 (6件)： Tang Minghong (Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures, Ministry of Education, Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China. [e-mail]) ,  Li Wei ,  Ren Yang ,  Zhang Zongzhi ,  Lou Shitao ,  Jin Q. Y.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 9  ページ： 5315-5321  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間分解磁気光学Kerr効果による垂直[Co/Ni]5および[Ni/Co]5多層膜の磁気特性に及ぼすPd下地層の影響を系統的に研究した。飽和磁気減衰定数α_0はPd厚みt_Pdを増加させ,両シリーズ試料の垂直磁気異方性定数K_uと線形相関を示さないと共に連続的に増加することを見出した。同じt_Pdを有するCo/Ni試料と比較して,Ni/Co膜は低い飽和磁化,弱いK_uが,より大きなα_0,Ni原子間の弱い交換結合剛性によるPd/Ni界面でより常磁性スピンの存在に帰することができるを示した。磁気不均一性,二マグノン散乱とスピンポンピング効果からの外因性減衰の寄与を解析することにより,垂直な[Ni/Co]5の固有減衰は0.023であると決定した。本研究は高性能磁気メモリデバイスを設計するための磁気減衰の深い理解と効果的な制御を提供するはずである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 飽和磁化 ,  Kerr効果 ,  常磁性 ,  *多層膜 ,  不均一性 ,  減衰定数 ,  *磁気 ,  記憶装置 ,  マグノン ,  *垂直磁気異方性 ,  界面 ,  *パラジウム
準シソーラス用語： スピンポンピング ,  交換結合 ,  下地層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： Pd ,  緩衝 ,  CO ,  Ni ,  多層膜 ,  磁気 ,  減衰 ,  垂直磁気異方性