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J-GLOBAL ID：201702289594090623   整理番号：17A0328769

サファイア基板上に成長させたZnGaOの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの特性評価【Powered by NICT】

Characterizations of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors of ZnGaO Grown on Sapphire Substrate

著者 (3件)： Shen Yi-Siang (Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan) ,  Wang Wei-Kai (Department of Materials Science and Engineering, Da-Yeh University, Changhua, Taiwan) ,  Horng Ray-Hua (Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5  号： 2  ページ： 112-116  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 没食子酸亜鉛(ZnGaO)エピ層を,有機金属化学蒸着によりc面サファイア基板上に成長させ,金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製した。ZnGaO MOSFETはV_GS< 4.43Vでドレイン電流,378Vの高いオフ状態破壊電圧,10~6の高いI_ON/I_OFF比,及び低ゲート漏れ電流の完全なチャネルピンチオフを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  MOSFET ,  *キャラクタリゼーション ,  *酸化物 ,  *半導体 ,  MOCVD
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  絶縁破壊電圧 ,  オフ状態 ,  ドレイン電流 ,  エピタキシャル層 ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア基板 ,  成長 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  特性評価