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J-GLOBAL ID：201702289611412054   整理番号：17A0065037

集束イオンビームリソグラフィーによるスパッタリングエッチングプロセスモデル研究【JST・京大機械翻訳】

Research on the Process Model for Focused Ion Beam Sputtering Etching Micro/Nanofabrication

著者 (3件)： Li Yuan (School of Mechanical Engineering, Southeast University) ,  Xing Yan (School of Mechanical Engineering, Southeast University) ,  Qiu Xiaoli (School of Mechanical Engineering, Southeast University)
資料名： Jixie Gongcheng Xuebao  (Jixie Gongcheng Xuebao)
巻： 52  号： 5  ページ： 101-106  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0292A  ISSN： 0577-6686  CODEN： CHHKA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 連続セルセルラオートマトンに基づく集束イオンエッチングプロセスモデルを提案し,実際のプロセスパラメータと走査戦略を効果的に導入し,スパッタリングと再堆積の方程式を確立し,イオントラップによるスパッタリングと再堆積効果を正確に表現することができた。これらの効果による表面構造進展過程を正確に記述した。多くのプロセス因子と走査戦略の条件の下で,プロセスモデルの計算結果は,スパッタリングエッチングと再堆積効果が実験現象と一致することを示した。加工断面の輪郭のシミュレーション結果によると、エッチング深さは時間変化の相対誤差が8%より小さく、精度が既存のモデルより高く、モデルの有効性を検証した。連続セルラオートマトンモデルは高い計算精度を持つだけでなく,より良い可視化出力効果を持ち,集束イオンビームの微細構造を最適化するためのプロセスパラメータの最適化法を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *スパッタリング ,  イオントラッピング ,  最適化 ,  *エッチング ,  プロセスパラメータ ,  可視化 ,  表面構造 ,  経時変化 ,  走査 ,  *集束イオンビーム ,  *集束
準シソーラス用語： 計算精度 ,  相対誤差 ,  *プロセスモデル ,  *イオンビームリソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： focused ion beam etching ,  continuous cellular automaton ,  re-deposition effect ,  process simulation

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 集束 ,  イオンビームリソグラフィー ,  研究