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J-GLOBAL ID：201702289843859438   整理番号：17A0364749

ZnOナノベルトセンサにおけるガス依存性センシング機構【Powered by NICT】

Gas dependent sensing mechanism in ZnO nanobelt sensor

著者 (8件)： Kaur Manmeet (Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, India) ,  Kailasaganapathi S. (Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, India) ,  Ramgir Niranjan (Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, India) ,  Datta Niyanta (Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, India) ,  Kumar Sushil (Heavy Water Plant (Manuguru), Gautaminagar, Dist. Khammam, Telangana, India) ,  Debnath A.K. (Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, India) ,  Aswal D.K. (Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, India) ,  Gupta S.K. (Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 394  ページ： 258-266  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素熱還元法を用いて合成したZnOナノベルトのガス感知特性を調べた。室温(28°C),センサ膜はH_2SとNOへのかなりの応答を示し,これらの二種類のガスの応答は濃度の関数として調べた。NOに対してセンサ膜は1~60ppmの濃度範囲で完全に可逆的な曲線を示した。H_2Sの完全な回復は,濃度<5ppmで得られ,高濃度のベースライン抵抗の部分的回復が観察された。不完全回復の理由はH_2S曝露前後の試料のX線光電子分光法(XPS)とX線回折(XRD)研究を用いて調べた。曝露後,ZnSの形成に対応する26.6°Cでの付加的なピークの出現は,XRDで観察された。追加の相の形成は,XPSの結果を用いて確認した。H_2S曝露原因はS2pピーク 2p_3/2と2p_1/2に対応して162.8と161.8eVの結合エネルギーでの硫化物ピークの零一sピークと出現の強度の減少,曝露直後にZnSの形成を確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  *センサ ,  X線回折 ,  硫化亜鉛 ,  基準線 ,  *酸化亜鉛 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： 高濃度 ,  ガス感知 ,  *ナノベルト ,  炭素熱還元 ,  *感知機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 酸化亜鉛 ,  ナノベルト ,  ガスセンサ ,  NO ,  H_2S ,  室温

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnO ,  依存性 ,  センシング機構